ESCUELA POLITECNICA NACIONALLABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS TRABAJO PREPARATORIO Práctica #: 10 Tema: Polarización de JFETs y amplificadores usando JFETs. Ismael Kastillo GR 6 Hasta cierto punto es inmune a la radiación. No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor). la corriente IC es una función directa del nivel de IB. o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio. El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Es menos ruidoso. mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Consultar las principales características de los transistores de efecto de campo y presente un cuadro con las semejanzas y diferencias entre este tipo de transistores y los de juntura bipolar. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica. Características Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ). puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD). La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales. La región activa de los TFT (thin-film transistor. Para el FET la corriente ID será una función del voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito. DIFERENCIAS La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de que el BJT es un dispositivo controlado por corriente.1. En otras palabras. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. empleando la oblea mono cristalina semiconductora como la región activa o canal. . ambos tiene dos diodos internos con una barrera de potencial de 0. Revisar las hojas de datos de los dispositivos 2N5457 y 2N3819 y K161.7 V y ambos tienen tres regiones de interés. 2. Además ambos pueden amplificar una señal de entrada y son dispositivos de control de corriente IC ó ID. .SEMEJANZAS La semejanza que hay entre el JFET y un transistor bipolar es que ambos dispositivos tienen tres terminales de conexión externas. presente un cuadro con los valores de los parámetros más importantes. . 4k R3 3.8 Vo Volts Q1 C2 2N3370 R2 100u +88.8 1000k Volts +88.93 V Fig.1 V 3. Calcular los voltajes de polarización para los circuitos de la Figura 1.5 V 3.8 BAT1 Volts 2V 3.6 V 2 mV 0. 1b) 17.2k Figura 1: a) b) Circuito VD VG VS Fig.732 V .3k Q2 Q2 2N3819 R4 220k 2N3819 R4 R5 R5 1000k 1k 1. 1a) 10. Vdd VALUE=18 Vdd VALUE=20 R7 R3 910k 2.Vdd VALUE=16 R1 2k +88. 3k Q2 2N3819 R6 R8 1000k 1k . VG=1.4k 910k Q1 2N3819 R2 R4 220k 1. R5(1) Parámetros Valor Vdd 12 V RD 330 Ω RS 220 Ω RG 1 MΩ R5 3.4. Considere el Vp de su transistor.5V y R2=100KΩ. VDD=12V. VDS=6V.2 MΩ R2 100 kΩ RD 680 Ω RS 390 Ω 2.2k 5. Considere el Vp de su transistor. R1(1) R1 R3 Parámetros Valor Vdd 20 V R1 1. Diseñe un circuito usando un JFET canal n polarizado con divisor de voltaje con los siguientes datos: ID=IDSS/2. Diseñe un circuito usando JFET canal n auto polarizado con los siguientes datos: ID=IDSS/2. VDS=10V. y RG=1MΩ. VDD=20V. Realizar la simulación del circuito diseñado en la figura 2 en un software computacional y presentar las formas de onda de entrada y salida.htm http://es.datasheetcatalog..viasatelital.5k C1 47uF Figura 2.net/es/datasheets_pdf/2/N/5/4/2N5457. Gráficas Vent Bibliografía: http://www.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo Vsal .Amplificador con FET.shtml http://www.6.7k C3 C2(2) R1 2.2M C2(2) AMP=200m OFFSET=0 FREQ=1k PHASE=0 THETA=0 BAT1 10uF Q1 C2 R5 2N3819 15V 10M 0. R3 R5(1) 2.com/proyectos_electronicos/polarizacion_fet.wikipedia.1uF R2 R4 270k 1.