Introducción a los Semiconductores.Examen de Verdadero y Falso. 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. Un átomo es la partícula más pequeña en un elemento. Verdadero. Un electrón es una partícula cargada negativamente. Verdadero. Un átomo esta compuesto por electrones, protones y neutrones. Verdadero. Los electrones son una parte del núcleo de un átomo. Falso. Los electrones de valencia existen en la capa externa de un átomo. Verdadero. Se forman cristales mediante el enlace de átomo. Verdadero. El silicio es un material semiconductor. Falso. Todos los diodos tiene una unión pn. Verdadero. Las regiones p y n en un diodo se forman mediante un proceso llamado ionización. Falso. Las dos regiones de un diodo son el ánodo y el colector. Falso. Un diodo puede conducir corriente cuando en dos direcciones con igual facilidad. Falso. Un diodo conduce corriente cuando está polarizado en directa. Verdadero. Cuando está polarizado en inversa, un diodo idealmente aparece como un corto. Falso. Dos tipos de corriente en un diodo son la de electrones y la de huecos. Verdadero. Examen de Acción de Circuitos. 1. Cuando un diodo está polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa, la corriente de polarización en directa: a. Se incrementa. b. Se reduce. c. No cambia. 2. Cuando un diodo esta polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa, el voltaje a través del diodo (de acuerdo con el modelo práctico): a. Se incrementa. b. Se reduce. c. No cambia. 3. Cuando un diodo está polarizado en inversa y el voltaje de polarización se incrementa, la corriente en inversa (de acuerdo con el modelo práctico): a. Se incremente. b. Se reduce. c. No Cambia. 4. Cuando un diodo está polarizado en inversa y el voltaje de polarización se incrementa, la corriente (de acuerdo con el modelo completo): a. Se incremente. b. Se reduce. c. No Cambia. 3. Un átomo está compuesto por: a. El mismo tipo de átomos. la corriente de polarización en directa: a. b. Cada elemento conocido tiene: a. 7. Se incremente. Un tipo único de átomo. Varios tipos diferentes de átomos 2. Si se excede el potencial de barrera de un diodo. Si la corriente de polarización en directa en un diodo se reduce. El núcleo de un átomo está compuesto por: a. Electrones y protones. c. En la órbita más cercana al núcleo. Respuestas b y c. c. Autoevaluación 1. d. No Cambia. c. d. Cuando un diodo está polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa. c. Un núcleo y sólo un electrón. b. Se incremente. No Cambia. c. electrones y neutrones. Electrones. 4. c. b. 8. . el voltaje a través del diodo (de acuerdo con el modelo completo): a. No Cambia. En varias órbitas alrededor del núcleo. b. Se incremente. Se reduce. Protones. El mismo número de átomos. d. No Cambia. b. Protones y neutrones. el voltaje en el diodo (de acuerdo con el modelo practico): a. No asociado con un átomo particular.5. Se incremente. Se reduce. En la órbita más distante del núcleo. b. Un núcleo y uno o más electrones. b. c. el voltaje en el diodo (de acuerdo con el modelo completo): a. Los electrones de valencia están: a. Se reduce. Se reduce. c. Electrones y neutrones. d. 6. b. Si la corriente de polarización en directa en un diodo se incrementa. 10. Banda de valencia. La interacción de los electrones de valencia. Dos átomos se enlazan entre sí. El número atómico del silicio es: a. 7. 8. d. c. b. 4 d. b y c.5. b. El material semiconductor más utilizado en dispositivos electrónicos es el: a. Respuestas a. Hay más huecos que electrones en la órbita externa. Un electrón se escapa de átomo. En un cristal semiconductor. Un ion positivo se forma cuando: a. Respuesta a. 6. Primera banda. 9. Segunda banda. d. 14 11. 1 c. 2 d. d. Germanio. d. 0 b. Los enlaces covalentes. La estructura atómica. b y c. Un átomo adquiere un electrón de valencia extra. El número atómico del germanio es: a. c. 4 d. los átomos se mantienen unidos por: a. Banda de conducción. 2 c. 32 12. Una banda prohibida más amplia entre la banda de valencia y la banda de conducción. Carbón c. c. 2 c. Cobre. Silicio. d. 8 b. 8 b. La banda de energía en la cual existen los electrones libres es la: a. b. Las fuerzas de atracción. b. El número de electrones libre. c. La capa de valencia en un átomo de silicio tiene la designación de número de: a. La diferencia entre un aislante y un semiconductor es: a. 3 . b. No hay electrones libres. Respuestas b) y d). b. Un electrón cae en un hueco. d. Modificación atómica. c. c. Se agregan impurezas trivalente al Silicio para crear a. c. En proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrínseco se llama: a. Los electrones libres son producidos térmicamente. b. Una región de empobrecimiento. c. d. Ocho electrones de valencia. Ningún electrón de valencia porque todos son compartidos con otros átomos. Un semiconductor tipo n. Se forma un cristal. c. Tanto electrones como huecos. La capa de valencia en un átomo de silicio tiene la designación de: a. El propósito de una impureza pentavalente es a. Incrementar el número de electrones libres. Sólo electrón. En un semiconductor intrínseco: a. c. 21. Incrementar el número de huecos. 16. 20. 19. b. Ocurre recombinación cuando: a.13. 14. Cuatro electrones de valencia. Un ion positivo e ion negativo se enlaza. b. d. Los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo n son: . Solo hay huecos. Ionización. Recombinación. c. d. b. Crear portadores minoritarios. b. Cuatro electrones de conducción. 18. e. 15. Ionización. b. Germanio. Un semiconductor tipo p. Iones negativos. d. Recombinación. 17. d. Un electrón de valencia se convierte en un electrón de conducción. La corriente en un semiconductor es producida por: a. d. b. Hay tantos electrones como huecos. d. Energía térmica. Dopado. cuatro propios y cuatro compartidos. Reducir la conductividad del Silicio. Dopado. c. Los pares de electrón-hueco se producen por: a. Sólo huecos. Difusión. b.22. 23. Portadores mayoritarios producidos por dopado. c. c. El choque de un protón y un neutrón. La relación de los portadores mayoritarios a los portadores minoritarios. 25. Portadores minoritarios producidos térmicamente. d. Se aplica un voltaje externo negativo en el ánodo y positivo en el cátodo. d. 29. Electrón de valencia. Se forma una unión pn mediante: a. Nada de portadores mayoritarios. b. Huecos. b. El límite de un material tipo n y un tipo p. El termino polarización es: a. La única corriente es la de huecos. Respuestas a) y c). d. Ionización. b. c. Hay una corriente muy pequeña debido a los portadores minoritarios. 26. Cuando un diodo esta polarizado en directa: a. La corriente es producida tanto por los huecos como por los electrones. Respuestas a). c. b. La región de empobrecimiento se crea por: a. Electrones de conducción. Para polarizar en directa un diodo: a. b. Se aplica un voltaje externo positivo en el ánodo y negativo en el cátodo. La región de empobrecimiento se crea por: a. Ni a) ni b) ni c). Iones positivos y negativos. 24. d. b) y c). Protones. Portadores mayoritarios producidos térmicamente. c. a. Los huecos en un semiconductor tipo n son: a. La recombinación de electrones y huecos. Un voltaje de cc aplicado para controlar la operación de un dispositivo. Hay algo de corriente debido a los portadores mayoritarios. c. b. La única corriente es la de electrones. La cantidad de corriente a través de un diodo. 27. Respuestas b) y c). La única corriente es la producida por los portadores mayoritarios. Aunque la corriente está bloqueada con polarización en inversa: a. Se aplica un voltaje externo positivo en la región p y negativo en la región n. Portadores minoritarios producidos por dopado. Ionización. d. c. c. d. b. b. 28. . Recombinación. Nada más que portadores minoritario. d. d. b. 31. Se polariza en directa. La disipación de potencia. Reduce un voltaje grande.3 V. Hay una corriente de avalancha.7 V. Depende del ancho de la región de empobrecimiento. Todas las anteriores. Un interruptor. Una fuente de voltaje. La resistencia dinámica puede ser importante cuando un diodo: a. La resistencia con polarización en inversa se toma en cuenta. Se encuentra en la condición de ruptura con polarización en inversa. Una resistencia. Debe ser mayor que 0. c. La resistencia dinámica con polarización en directa se toma en cuenta. 35. c. Respuesta b) y c). Ninguna de las anteriores d. d. . 37. 32. el valor del voltaje de polarización en directa en general: a. c. Un diodo opera normalmente en: a. La condición de ruptura con polarización en inversa. El voltaje a través del diodo con una corriente dada. un diodo puede ser representado por: a. d. Para un diodo de silicio. Depende de la concentración de portadores mayoritarios. d. 34. c. d. El potencial de barrera se toma en cuenta b. La región de polarización en directa. La cantidad de corriente con un voltaje de polarización dado. 36. d. Se polariza en inversa. b. c. d. No esta polarizado. Todas las anteriores. b. El potencial de barrera se toma en cuenta. c. b. b. Conduce corriente. La resistencia dinámica con polarización en directa se toma en cuenta c. Cuando se polariza en directa un diodo: a. d. Ninguna de estas situaciones. Debe ser mayor que 0. La región de polarización en inversa. b.30. Tiene una alta resistencia. c. Tanto a) como b) En el modelo completo del diodo: a. La curva V-I para un diodo muestra: a. c. 33. Bloquea la corriente. Idealmente. En el modelo practico de diodo: a. b. 3V 39. Cuando un diodo de Silicio funciona apropiadamente. a. determine la clase de material con base en comparación relativas.7 V d. b. Aproximadamente 0. 4.38. Si el numero atómico de un átomo neutro es 6 ¿Cuántos electrones tiene el átomo? ¿Cuántos Protones? 6 electrones y 6 protones. 6. Nombre dos bandas de energía donde se produce corriente en silicio. OL c. Aproximadamente 0. un DMM puesto en la posición prueba de diodo indicara: a. 0 V b. 5. Aproximadamente 0.7 V d. 0 V b. Describa el proceso de dopado y explique cómo altera la estructura atómica del silicio . Semiconductor. 1. ¿Qué sucede cuando se agrega calor al silicio? Se hace un buen conductor. 2. Cierto átomo tiene cuatro electrones de valencia ¿Qué tipo de átomo es? Tetravalente. Conducción y de Valencia.3 V Problemas Básicos. 8. Aislante. Conductor. En un cristal de Silicio ¿Cuantos enlaces covalentes forman un solo átomo? 4. En dada uno de los diagramas de energía que aparecen en la figura 1-40. ¿Cuál es el número máximo de electrones que pueden existir en la tercera capa de un átomo? 18 electrones. OL c. Cuando un diodo de Silicio está abierto. c. 3. Aproximadamente 0. un DMM indicara en general: a. 7. 7 V a 0. 12. Explique cómo se genera la parte de polarización en directa de la curva característica 15. Para polarizar en directa un diodo ¿qué región se debe conectar la terminal positiva de una fuente de voltaje? Al ánodo. El proceso más común para dopar algún semiconductor es el método de Czochraiski el cual consiste en fundir el material en este caso el Silicio al cual ya estando fundido se le añade la impureza del tipo necesario (n o p).9. ¿Cómo se crea el campo eléctrico a través de la unión pn? Por la recombinación de los electrones (para electrón-hueco). Debido a su potencial de barrera ¿puede ser utilizado un diodo como fuente de voltaje? Explique: No. 13. Para reducir el voltaje. después se introduce la semilla en el fundido la cual se hace girar al sentido contrario del cual está girando el material fundido lo cual hace que semilla crezca.6V? Provocaría que dejara de pasar corriente. . El potencial de barrera es una caída de tensión. ¿Qué es el Antimonio? ¿Qué es el Boro? El Antimonio es una pentavalente y el Boro un trivalente. 14. 10. 11. ¿Qué provocaría que el potencial de barrera de un diodo de silicio disminuyen de 0. Explique porque se requiere un resistor en serie cuando un diodo se polariza en directa.