MOSFETPRESENTADO POR: JHON EDWIN GIL -1660565 ANDRES TORRE RENDON PROGRAMA DE TENCOLOGIA EN ELECTRONICA UNIVERSIDAD DEL VALLE SEDE BUGA por ello. La fuente y el drenaje están conectados mediante contactos metálicos a . la resistencia de entrada es muy alta. En algunos casos. la puerta está aislada eléctricamente del canal. el sustrato se conecta internamente a la terminal de fuente. MOSFET decremento de canal n. MOSFET Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. Drain y Source (compuerta. TIPOS DE MOSFET: MOSFET TIPO DECREMENTO. principalmente en circuitos de radio frecuencia. La construcción básica del MOSFET tipo decremento de canal n aparece en la figura. Se forma una placa de material tipo p a partir de una base de silicio y se conoce como sustrato. Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido- Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor. Se compone de una pieza de material tipo n con una zona p ala derecha y una puerta aislada a la izquierda. Es la base sobre la cual se construye el dispositivo. se subdividen en 2 tipos. drenaje y fuente). Los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenador deben pasar entre el estrecho canal entre la puerta y la zona p. El nombre completo. Los MOSFET poseen también 3 terminales: Gate. muchos dispositivos individuales cuentan con una terminal adicional etiquetada SS. La zona p se denomina substrato o cuerpo. El mosfet de decremento tiene un uso muy limitado. Sin embargo. como el de la figura. los MOSFET canal N y los de canal P. lo que produce un dispositivo de cuatro terminales. A su vez. aunque permanece aislada del canal n por una capa de bióxido de silicio (SiO2) muy delgada. En este punto las características de un MOSFET tipo decremento continúan elevándose a niveles por encima de IDSS. . o El MOSFET tipo decremento tiene las mismas características que un JFET con corrientes de drenaje hasta el nivel de IDSS. en tanto que las del JFET se terminarán. También la compuerta está conectada a una superficie de contacto metálica. regiones tipo n dopadas vinculadas a un canal n como se muestran en la figura. o La capa aislante de SiO2 en la construcción de un MOSFET es la responsable de la alta impedancia de entrada del dispositivo. MOSFET tipo decremento de canal p. Es decir. a. ahora el sustrato es tipo n y el canal tipo p. Mosfet de decremento de canal p. Mosfet decremento de canal n. Simbología. b. . La construcción de un MOSFET tipo decremento de canal p es exactamente el inverso a lo que aparece en la figura anterior del tipo n. como se muestra en la figura. Sin el MOSFET incremental no existirían los ordenadores. En particular. el control de corriente en un dispositivo de canal n ahora se ve afectado por un voltaje positivo de la compuerta a la fuente en lugar de por los voltajes negativos encontrados en los JFET de canal n y en los MOSFET tipo decremental de canal n. La construcción de un MOSFET tipo incremental es muy parecida a la del MOSFET tipo decremental excepto porque no hay un canal entre el drenaje y la fuente. MOSFET tipo incremental de canal n. las características del MOSFET tipo incremental son muy diferentes de otras obtenidas hasta ahora. El MOSFET decremental fue parte de la evolución hacia el MOSFET incremental que es también llamado de acumulación. .MOSFET TIPO INCREMENTAL. La curva de transferencia no está definida por la ecuación de Shockley y la corriente de drenaje ahora es la de corte hasta que el voltaje de la compuerta a la fuente alcance una magnitud específica. . Mosfet incremental de canal n. b. a. MOSFET tipo incremental de canal p La construcción de un MOSFET tipo incremental de canal p es exactamente el inverso de lo que aparece en la figura anterior. Mosfet incremental de canal p. Simbología. ahora hay un sustrato tipo n y regiones tipo n dopadas bajo las conexiones del drenaje y la fuente. Es decir. Los MOSFET de tipo incremental se usan mucho en circuitos discretos como interruptores de potencia y en circuitos integrados conmutación digital. . BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY Principios de electrónica ALBERT PAUL MALVINO. Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos ROBERT L. Ampliar pequeñas señales casi igual como los transistores JFET Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. BIBLIOGRAFIA.USOS DE LOS MOSFET. Los MOSFET tipo decremento son usados principalmente en circuitos de radiofrecuencia.