MEMORIAS,almacenamiento, electronica digital

March 22, 2018 | Author: mjvn31 | Category: Computer Memory, Bit, Random Access Memory, Computer Hardware, Computer Architecture


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UNIDAD IIIMEMORIAS MEMORIAS  TERMINOLOGIA DE LAS MEMORIAS  MEMORIAS RAM  ORGANIZACION DE LAS MEMORIAS RAM  PIN OUT DE LAS MEMORIAS RAM  ARREGLOS DE MEMORIAS RAM TERMINOLOGIA DE LAS MEMORIAS  CELDA DE MEMORIA  PALABRA DE MEMORIA  BYTE  CAPACIDAD DE MEMORIA  DENSIDAD  TIEMPO DE ACCESO Ejemplos de celdas de memoria incluyen un flip-flop. 1 0 . un capacitor cargado o un solo punto en una cinta magnética o en un disco.CELDA DE MEMORIA  Un dispositivo o un circuito eléctrico usado para almacenar un solo bit (0 o 1). 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 16 bits 1 1 1 0 8 bits 1 0 1 1 0 1 1 .PALABRA DE MEMORIA  Un grupo de bits (celdas) en una memoria que representa instrucciones o datos de algún tipo. Los tamaños de palabras se pueden expresar en bytes o bits.BYTE  Un término especial usado para un grupo de 8 bits. Un byte siempre consta de 8 bits. 1 1 0 1 0 0 0 1 .  Está dada por: C = número de palabras x tamaño de palabra C=3x4 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 C = 12 bits .CAPACIDAD DE MEMORIA  Es la cantidad de bits que puede almacenar en un dispositivo de memoria. Capacidad  1 K = 1024 = 210  1 M = 1024 K = 220  1 G = 1024 M = 230  1 T = 1024 G = 240  1 P = 1024 T = 250  1 E = 1024 P = 260  1 Z = 1024 E = 270  1 Y = 1024 Z = 280 . 384 bits ó 16 K bits . Cuántas palabras se pueden almacenar en ese chip? Cuál es el tamaño de palabra? Cuántos bits totales puede almacenar este chip? Sol: tiene 2 K palabras. Un determinado chip de memoria semiconductora se especifica como 2Kx8. C = numero de palabras x tamaño de palabras C = 2048x8= 16. cada palabra tiene 8 bits. 2x1024 = 2048 palabras. 943. Qué memoria almacena mayor cantidad de bits? Una memoria de 5Mx8 o una que almacena 1 M palabras con un tamaño de palabras de 16 bits? 5Mx8 = 41.777.216 bits .040 bits 1Mx16 = 16. Cuando un dispositivo de memoria puede almacenar más bits en la misma cantidad de espacio se dice que es más denso.DENSIDAD  Es otro término para capacidad. . Es el tiempo entre la recepción en memoria de una nueva entrada de dirección y la disponibilidad de los datos en la salida de la memoria. tACC . Es la cantidad de tiempo que se requiere para llevar a cabo una operación de lectura o escritura.TIEMPO DE ACCESO  Una medida de la velocidad de operación de una memoria. MEMORIAS RAM  Random Access Memory Memoria de acceso aleatorio. volátil  Se utiliza en computadoras para el almacenamiento temporal de programas y datos . El tiempo de acceso es igual para cualquier dirección de memoria  Memoria de lectura/escritura. ORGANIZACION DE LAS MEMORIAS RAM Palabra 0 1 1 0 0 1 1 0 1 Palabra 1 1 0 0 1 1 1 1 0 Palabra 2 1 0 1 0 0 0 0 1 Palabra 3 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 Palabra 15 1 1 0 1 0 1 0 0 . 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 n entradas DEC 4 a 16 2n salidas 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 . PIN OUT DE LAS RAM  ARREGLO DE PINES Líneas de Dirección Líneas de Datos Líneas de Control R/W CS MEM .  Las líneas de datos tiene el mismo número que el tamaño de palabra. .  Las líneas de dirección están relacionadas con el número de entradas del decodificador de memoria # de palabras = 2 n entradas del decodificador n = número de líneas de dirección. . . . Mapa de Memoria . . . Clasificación de las Memorias Según el Acceso: Acceso Aleatorio (Random Access Memory) RAM El tiempo de acceso es independiente de la ubicación de la información en la memoria Acceso Secuencial Acceso Asociativo SAM CAM Es necesario recorrer la memoria hasta la celda deseada El método consiste en localizar ciertas características (contenido) de la información almacenada . Según la alimentación: Volátiles la información subsiste sólo mientras se mantiene la alimentación No volátiles la información no se borra al interrumpirse la alimentación .  Segun la Lectura:  De lectura destructiva  De lectura no destructiva  Según el tiempo:  Estáticas   formadas por células de elementos biestables capaces de mantener su información al menos mientras dure su alimentación Dinámicas  Requieren refresco periódico por cuanto la carga (información) se degrada. .  Según el uso:  Lectura/Escritura  De sólo lectura (ROM)  Programables (PROM)  Reprogramables (RPROM)  Reprogramables borrables mediante UV (EPROM)  Reprogramables borrable electricamente (EEPROM) . En ellas el sistema almacena datos temporarios mientras efectúa otras operaciones: Memorias caché y buffer. Según la jerarquía  Memoria central   Memoria de masa   Son circuitos integrados algo limitados en capacidad que trabajan directamente con el microprocesador son memorias de gran capacidad ubicadas como periféricos. . Memoria de borrador Son memorias muy rápidas y relativamente pequeñas.  Según la tecnología  Opticas  Semiconductoras  Magnéticas . Ejemplo de Mapa de Memoria .
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