Los Transistores IGBT Transistor Bipolar de Compuerta Aislada (Insulated-gate bipolar transistor) Es una presentación de la: ACADEMIA VIRTUAL EYSER Cómo Funcionan Características Símbolos Comprobación Aplicaciones Lic. Felipe Orozco Cuautle Producción general de: Electrónica y Servicio México Digital Comunicación Director General: Profr. José Luis Orozco Cuautle FEBRERO 2014 . Introducción La aplicación de los transistores IGBT va en aumento cada vez más. sobre todo por su capacidad de responder a señales de conmutación. que permita controlar elementos que demanden grandes e instantáneas intensidades de corriente eléctrica para su funcionamiento. tenemos oportunidad de aprender los detalles mas relevantes de estos transistores. símbolo. entre ellos su principio de funcionamiento. En esta jornada. . forma de medirlos e incluso algunas aplicaciones en la práctica. Actualmente existen muy diversas aplicaciones industriales y de uso domésticos.Definiciones: El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT. . del inglés: Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Servofrenos (ABS). Maquinarias y herramientas industrailes. . etc. Refrigeradores.Aplicaciones: Driver Flash cámaras digitales Driver en Tarjetas Y-sus y Z-sus en tv plasma Fuente alimentación TV plasma Fuente de alimentación hornos micro-ondas Panasonic Inverter Amplificadores de audio musical Equipo electrodoméstico (Lavadoras. Climas. Driver ignición en ECU. etc.) Automóvil (Control de motores PMSM). . Dos de estos le señalan mas como un transistor bipolar y la tercera lo dibuja como un MOSFET con doble flecha de sustrato.Símbolo: Se emplean indistintamente tres símbolos de transistor IGBT. Is (Corriente de Sangría) Ibe (Corriente base-emisor) Ic (Corriente de colector) AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO NPN. EMISOR COMUN . En la actualidad los segundos están prácticamente en desuso. MOSFET CRECIMIENTO CANAL P G D CANAL N G D S CANAL P G D S CANAL N G D S S MOSFET ANGOTAMIENTO .Transistor Mosfet Los transistores MOSFET o MetalOxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. A su vez. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o MOS y MOSFET de canal P o PMOS. es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. estos transistores pueden ser de crecimiento (enhancement) o angotamiento (deplexion). Este segundo prácticamente se encuentra en desuso. APAGADO (SW. OFF) SEMICONDUCTOR DRENADOR METAL OXIDO N P APAGADO OFF COMPUERTA 0v N SURTIDOR NO HAY CANAL DE CONDUCCION . ON) DRENADOR N COMPUERTA ON ON P ENCENDIDO ON N OFF SURTIDOR SE FORMA EL CANAL DE CONDUCCION N .ENCENDIDO (SW. . . youtube.Video con práctica resoldado SMD https://www.com/watch?v=6IrYBgKDtTQ . FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT. . El IGBT ha sustituido al bipolar NPN o PNP en muchas aplicaciones de potencia. de los transistores de efecto de campo y con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar simultáneamente en un solo dispositivo. El transistor IGBT posee la característica de control con señales de compuerta. Es ideal para operar señales de disparo instantáneas. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. el IGBT enciende al instante. Vge Ic Vce= 0v Equivalente eléctrico discreto de un Transistor IGBT . ya que se forma con un transistor bipolar y un transistor mosfet. la corriente de colector Ic es conducida y el voltaje Vce se va desde el valor de bloqueo hasta cero. El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje Vge de la terminal Gate. Cuando le es aplicado un voltaje Vge a la puerta . por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz. La tensión de control de puerta es de unos 15v. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta. . Los transistores IGBT se fabrican exclusivamente en canal tipo N. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos. que consiste en muchos dispositivos colocados en paralelo. Grandes módulos de IGBT. pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de hasta 6. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros. En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los tiristores o SCR y los transistores Mosfet.000 voltios ! . HORNO MICRO-ONDAS PANASONIC NN-ST661 . CIRCUITO INVERTER HORNO PANASONIC . GT50J322 = GT30J22 50D060 = 30D060 Transistores IGBT empleados en fuente de alimentación para hornos micro-ondas Panasonic con inverter. . Asegure la disipación de calor . COMO MEDIR UN TRANSISTOR IGBT . Soldar bien es importante . LOS IGBTs EN TELEVISORES DE PLASMA LG 42PQ30 . TANDEM DE TRANSISTORES BIPOLAR. MOSFET e IGBT EN TARJETA Z-sus TV PLASMA . 28 . Excitación Motor PMSM con IGBTs SERVOMECANISMO . MOSFET e IGBT EN UNA ECU .TANDEM DE TRANSISTORES BIPOLAR. . com.En DIRECTO con: Angeles Orozco angeles.com Francisco Orozco [email protected] .orozco@mdcomunicacion. DIAGRAMASPDF Venta de: Diagramas y manuales de servicio Manuales de entrenamiento y guías de fallas. Asistencias técnicas por el Profr. Francisco Orozco ESCRIBE HOY MISMO ! [email protected] EXCLUSIVO MEXICO .
Report "Imprimir_ Los Transistores Igbt _ Febrero 2014_material de Trabajo b&n PDF"