DESARROLLO EXPERIMENTAL EXPERIMENTO 1.IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS. a) Por observación, identifique el Ánodo y Cátodo de los distintos diodos que está utilizando, dibuje y anote sus observaciones. Ilustración 1 Identificación de Ánodo y Cátodo b) Empleando un “MULTIMETRO ANALÓGICO”, como primera prueba, en la función de “OHMS” compruebe el inciso anterior, conectando el óhmetro en los extremos del diodo en polarización directa y polarización inversa, como se indica en la figura 1, reportando en cada caso la resistencia medida. Como se observa en la captura se presenta una variación en los valores de resistencia debido a la polarización en la que se encuentra el diodo. c) Con un “MULTIMETRO DIGITAL” en función de "DIODO", realice la medición del voltaje de conducción (V0) en polarización directa y polarización inversa de cada elemento. Diodo 1n4007 Polarización Directa: 0.569 V Polarización Inversa: 0V EXPERIMENTO 2. CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR. a) Arme el circuito que se muestra en la figura 2, utilizando un diodo de Silicio, Verificando que los instrumentos se conecten en la polaridad indicada. b) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensión de la fuente V1 en incrementos de 0.1 volts hasta que el diodo alcance su voltaje de conducción, anote los valores de VD e ID, en la tabla 1 0 3 0.0.4 .2 0.1 0. 8 .0.5 0.7 0.6 0. 303A VD 799.84uA 5.99mV .5 0.9 1 ID 232.487uA 17.6 0.7 ID 0 314. 0.4 0.8 0.1 0.99mV 899.385nA 2.49uA 121.56mAA 2.9 1 V 0 0.16 mA 938.88mA VD 0 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV 600mV 700mV V 0.2 0.3 0.24uA 837.99mV 999.769mA 38. c) Invierta la polaridad del diodo y repita el inciso anterior. 0 0.1 0.2 0.3 . 0.4 0.7 .5 0.6 0. 0.5 0.54nA 53.7 ID 0 45.86nA VD 0 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV 600mV 700mV V 0.25uA 53.4 0.9 1 V 0 0.3 0.76nA 53.16nA VD 800mV 900mV 1V .30nA 53.66nA 53.07nA 54.2 0.98nA 54.9 1 ID 53.8 0.8 0.1 0.57nA 52.6 0. registre sus datos en la tabla 2 0 0. como se muestra en la figura 3. mida el voltaje del diodo VD. con una de carga RL de 1 KΩ.1 0.2 0.d) Realice el procedimiento del inciso b.3 . la corriente ID. 7 .6 0.5 0.4 0.0. 1 0.37uA 13.7 ID 0 312.73mV .36mV 420.79uA 434.12 2.5mV V V V 0.3 0.66uA 260.5 0.04m 393.9 1 V 0 0.45uA nA VD 0 99. 0.8 0.56mV 352.9 1 ID 345.26uA VD 454.47uA 47.95uA 106.62mV 286.4 0.03uA 524.68m 197.96mV 475.8 0.6 0.2 0.33mV 439.20mV 465.63uA 179. 1 0. como se muestra en la figura 3 y anote las mediciones en la tabla 3 Directa 0 0 0.e) Repita el inciso b y c.4 .2 0. empleando el Diodo Emisor de Luz (LED).3 0. 6 0.7 0.5 0.8 .0. 0.38pA VD 0 100mV 200mV 300mV 400mV 499.99mV 599.84pA 302.4 0.55nA 3.24pA 655.03pA 917.3 0.9 1 ID 1.98mV Inversa 0 0 0.6 0.2 0.8 0.92pA 199.9mV V 0.9 1 V 0 0.7 ID 0 99.23pA 516.1 0.99V 699.63nA 10.99mV 899.5 0.1 .99mV 999.76pA 405.82nA VD 799. 2 0.4 0.0.3 0.5 . 6 0.9 1 .0.7 0.8 0. 4 0.9mV V 0.6 0.8 0.06pA 305. V 0 0.68pA 505.31pA 399.28pA 1.15pA 599.99mV f) Construya las gráficas de la curva característica de los diodos en polarización directa con los valores obtenidos de las tablas anteriores.36pA 899.9 1 ID 799.01nA VD 799.52pA 699.99mV 599.1 0.44pA A VD 0 100mV 200mV 300mV 400mV 499.2 0.99V 699.3 0.8 1 .7 ID 0 101.99mV 899.30p 197.5 0. Literal b 1000 900 800 700 600 500 400 300 200 100 0 0 0.2 0.6 0.99mV 999.4 0. 8 1 1.6 0.2 0.2 0.2 Series1 Series2 .4 0.6 0.Literal d VOLTAJE DE DIODO E INTENSIDAD DE DIODO Series1 Series2 600 500 400 300 200 100 0 0 0.2 -100 Literal e 12000 10000 8000 6000 4000 2000 0 0 0.4 0.8 1 1. g) Arme el circuito de la figura 4. utilizando un diodo de Germanio. . y obtenga los valores ID indicados en la parte media de la tabla 4 y anote los valores de voltaje VAB correspondiente a cada valor de la corriente ID indicado. b) Partiendo de 0 volts. 0 0 1 2 . EXPERIMENTO 3. c) Partiendo de 0 volts. y obtenga los valores VAB indicados en la parte superior de la tabla 4 y anote los valores de la corriente ID correspondiente a cada voltaje VAB indicado. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN POLARIZACIÓN INVERSA. realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15 volts. realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15 volts. a) Seleccione el diodo Zener de 10 volts y construya el circuito que se muestra en la figura 5. 3 4 5 . 6 7 8 . 9 10 . 11 12 13 . 14 15 . 041 4.965 mA 10 5.1223 nA 2 2 -222.09 9.017 1.94 mA 15 5.99 1 mA 7 5.089 nA 4 4 0 5 4.954 mA 12 5.94 mA .045 5.047 5.Voltaje de fuente V1 V ab Id 0 0 0 1 1 .035 3.053 7.056 8.982 mA 8 5.947 mA 14 5.972 mA 9 5.12 uA 6 4.95 mA 13 5.027 2.93 69.95 mA 11 5.045 nA 3 3 -444. realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15 volts. obtenga los valores VAB indicados en la parte superior de la tabla 5. EXPERIMENTO 4. b) Partiendo de 0 volts.2 . anote los valores de corriente ID correspondiente a cada valor de voltaje VAB indicado y obtenga el valor de la resistencia del diodo RZ. 0 0. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN POLARIZACIÓN DIRECTA a) Arme el circuito como se muestra en la figura 5.1 0. 4 .0.3 0. 5 0.77 nA 216.22nA 21.203 nA 209.94 399.1 0.6 1 V 0 0.78mV 783.143 mV mV mV mV mV mV .85uA nA VD 0 99.2 0.96 599.092nA 30.3 0.5 0.801 19.4 0.72 499.583 nA 24.97 199.97 299. 0.6 1 ID 0 16. EXPERIMENTO 5. 1 . realice incrementos en la frecuencia hasta un máximo de 20 MHz. c) Con el osciloscopio. realice 10 lecturas a diferentes frecuencias. observe y registre el voltaje pico de la señal de salida obtenida en la resistencia. b) Ajuste la salida del generador a una señal senoidal de 5 VPP. partiendo de 10 Hz. CARACTERISTICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN FRECUENCIAS ALTAS. a) Utilice el diodo de Germanio y construya el circuito que se muestra en la figura 6. 2 3 4 . 5 6 7 . 8 9 10 . anote sus observaciones para cada caso.d) Remplace el diodo de germanio por el diodo de Silicio y repita los incisos b y c. 1 2 . 3 4 5 . 6 7 8 . 10. Describa el comportamiento de un diodo ideal 8.CUESTIONARIO 1. Explique qué pasa si se aumenta el voltaje de polarización inversa a un diodo semiconductor y se tiene una sobrecarga. Explique la respuesta de conducción de corriente de un semiconductor sujeto a frecuencias altas. ¿Cuál es la importancia de los semiconductores? 4. 6. 5. 7. 13. Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento brevemente. ¿Qué es resistencia estática y resistencia dinámica? 11. . Cuáles son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de silicio. 12. Describa la electroluminiscencia en un LED. ¿Qué significa polarización directa y polarización inversa de un diodo? 3. 9. Explique cómo afecta la temperatura a un material semiconductor. Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores. Explique que es la región ZENER. ¿Qué son los materiales semiconductores intrínsecos y extrínsecos? 2.