Codificación de diodos, transistores, tiristores, etc. La codificación de los transistores, tiristores, diodos y otros semiconductores se basa en la standardización de los siguientes organismos: JEDEC, JISC y PRO ELECTRON JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council): Estándar: digito, letra, serial, sufijo (opcional) Ejemplo: 2N2222A , 2N305 5 Digito: El numero designa el tipo de dispositivo 1: Diodo 2: Transistor Bipolar 3: Transistor de efecto de campo FET 4: Optoacoplador 5: Optoacoplador JISC (Japanese Industrial Standard committee) Letra: Se usa siempre la N Serial: El número de serie se sitúa entre el 100 y el 9999 y no dice nada sobre el dispositivo, salvo su fecha aproximada de introducción. Sufijo (opcional): indica la ganancia (hfe) genérica del dispositivo: A: Ganancia baja B: Ganancia media C: Ganancia alta 2 letras: Las letras especifican el área de aplicación Estándar: digito. dos letras. numero de serie. PRO ELECTRON: (EECA: European Electronic Component Manufacturers) . sufijo (opcional) Ejemplo: 2SA1157 . El sufijo (opcional): indica que dicho tipo está aprobado para el empleo por varias organizaciones japonesas. 2SB531 Digito: El numero designa el tipo de dispositivo 1: Diodo 2: Transistor Bipolar 3: Transistor de efecto de campo FET SA: PNP HF transistor SB: PNP AF transistor SC: transistor NPN HF SD: transistor NPN AF SE: Diodos SF: Tiristores SG: Dispositivos de disparo SH: UJT SJ: FET/MOSFET canal P SK: FET/MOSFET canal N SM: Triac SQ: LED SR: Rectificador SS: diodo de señal ST: diodo de avalancha SZ: diodo zener El número de serie: varia entre 10 y 9999. etc. UJT etc S: Transistor. triac. ej: tiristor. letra (opcional). HF. BF239 Primera letra: especifica el material semiconductor empleado A: Germanio B: Silicio C: Arseniuro de galio R: Materiales compuestos Segunda letra: especifica el tipo de dispositivo A: Diodo de bajo poder o baja señal B: Diodo de capacitancia variable (varicap) C: transistor. AF. potencia. pequeña señal D: transistor. BAW68. ej: tiristor. numero de serie Ejemplo: BC108A. diac. pequeña señal K: Dispositivo de efecto Hall L: Transistor. potencia N: Optoacoplador P: Fotorreceptor Q: Emisor de luz R: Dispositivo de conmutación. conmutación W Dispositivo de . U: Transistor de potencia. potencia E: Diodo tunel F: transistor.Estándar: dos letras. alta frecuencia (HF). de audio frecuencia (AF). baja potencia. conmutación de baja potencia T: Dispositivo de conmutación. Los prefijos más comunes son: MJ: Motorola potencia. cápsula de plástico MPS: Motorola baja potencia. VHF y transistores microondas RCA: RCA RCS: RCS TIP: Texas Instruments transistor de potencia (cápsula de plástico) TIPL: TI transistor de potencia plano TIS: TI transistor de pequeña señal (cápsula de plástico) ZT: Ferranti ZTX: Ferranti . cápsula de plástico MRF: Motorola HF. cápsula de metal MJE: Motorola potencia.onda acústica de superficie (SAW) Y: Diodo rectificador Z: Diodo zener Tercera letra (opcional): La tercera letra indica que el dispositivo está pensado para aplicaciones Perooo EXISTEN OTROS: Hay fabricantes que introducen su propia referencia por razones comerciales o para resaltar el uso del componente. Nos podemos encontrar semiconductores de fabricación especial para alguna Firmas. Algunos encapsulados populares: 73. ¡imposible entender la codificación!. Packo EA3GLB . hay que morir en el fabricante del producto. no en el distribuidor del fabricante del semiconductor.