CIRCUITOS DE DISPARO

March 25, 2018 | Author: Evi Perez | Category: Transformer, Transistor, Bipolar Junction Transistor, Mosfet, Semiconductor Devices


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CIRCUITOS DE DISPARO Circuitos de disparo sin aislamiento El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de potencia, y consiste en dispositivossemiconductores de potencia. Las salidas de un convertidor que depende de la forma de onda en que el circuito de disparo se excita a los dispositivos de conmutación es una función directa de la conmutación por consiguiente, las características del circuito de disparo son elementos clave para obtener la salida deseada y los requisitos de control de cualquier convertidor de potencia. El diseño de un circuito excitador requiere conocer las características de compuerta y las necesidades de dispositivos como tiristores apagados por compuerta (GTO), transistores bipolares de unión (BJT), transistores de efecto de campo metal-oxido semiconductor (MOSFET) y transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT). EXCITADOR DE COMPUERTA PARA MOSFET Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada muy alta. La compuerta consume una corriente de fuga muy pequeña, del orden de los nanoamperes. El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de encendido se puede reducir conectando un circuito RC como se ve en la figura, para cargar con mayor rapidez la capacitancia de compuerta. Cuando se conecta un voltaje a la compuerta, la corriente inicial de carga de la capacitancia es IG = V G / R S y el valor de estado permanente de voltaje de compuerta es VGS = RGVG / (RS + R1 + RG) donde RS es la resistencia interna de la fuente que excita la compuerta. EXCITADOR DE BASE PARA BJT La velocidad de conmutación se puede aumentar reduciendo el tiempo de activación, encendido, y el tiempo de desactivación, apagado. Se puede reducir el tiempo de encendido permitiendo un pico de la corriente de base durante la activación, dando como resultado una B forzada baja al principio. Después de la activación puede aumentar la B forzada baja hasta un valor suficientemente alto como para mantener el transistor en la región de casi saturación. El tiempo de desactivación se puede reducir invirtiendo la corriente de base y permitiendo un pico de la corriente de base durante la activación. Al aumentar el valor del voltaje de pico de la corriente inversa IB2 disminuye el tiempo de almacenamiento. En la siguiente figura se muestra una forma de onda típica de la corriente de base. la corriente de encendido de la base cambia en proporción a la corriente del colector. la corriente de base se limita con el resistor R1 y el valor inicial de esa corriente es: IB= (VI . aumenta. . Se puede reducir el tiempo de almacenamiento operando el transistor con una saturación gradual. Control de saturación Si el transistor se excita muy rápido. el VC se suma a V2 como el voltaje inverso a través del transistor. la B forzada Bf se puede controlar en forma continua para que coincida con las variaciones de corriente del colector. Por lo tanto. en lugar de muy rápida.VBE)/R1 + R2 Control de apagado Si el voltaje de entrada de la figura se cambia a –V2 durante el apagado. habrá un pico de la corriente de base durante el apagado. Las técnicas de uso común para optimizar la activación de la base de un transistor son: 1) 2) 3) 4) Control Control Control Control de encendido de apagado proporcional en base por antisaturación Control de encendido La corrección de la corriente de base se puede proporcionar con el circuito de la figura. Cuando se conecta el voltaje de entrada. como se muestra en la figura anterior. y se reduce la velocidad de conmutación. Control proporcional en base.VBE)/R1 Y el valor final de la corriente de base es: IBS= (VI . Si la corriente del colector cambia debido a un cambio en la demanda de carga. el tiempo de almacenamiento que es proporcional a la corriente de base.Aparte de una forma fija de corriente de base. 1 Circuitos de disparo con aislamiento Necesidad de aislamiento de la Señal Lógica de Control:     Tensiones elevadas (lineas rojas). Diferentes niveles de tensión dentro del convertidor y por tanto diferentes referencias para las salidas Base-Emisor (Puerta-Fuente) de los drivers. Necesidad de protección del personal que maneja los equipos de control. la corriente del colector es: IC = (VCC -VCM)/RC Donde VCM es el voltaje sujetador y VCM> VCD(Sat) 2. Existen diferentes métodos que se estudiarán en los próximos apartados El aislamiento galvánico se consigue empleando optoacopladores transformadores de pulsos.Esto se puede hacer sujetador el voltaje de colector a emisor a un valor predeterminado. Se necesitan diferentes fuentes de alimentación auxiliares para los diferentes niveles de tensión.1. 2.1 Acoplados Óptimamente . Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras ópticas. (inmunidad al ruido EMI. sólo señal. .     El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento eléctrico entre el circuito de control y el de potencia. por lo que será necesario una fuente de alimentación auxiliar y un amplificador. Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de disparos espúreos en las conmutaciones del interruptor de potencia. debido a la capacidad parásita entre el LED y el fototransistor. aislamiento de alta tensión y evitan el efecto inductancia de los cables largos). No permiten transportar potencia. Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del fotodiodo y del fototransistor que no debe superar la tensión de ruptura.  Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con impedancia de salida mucho menor. con Aislamiento Optoacoplado de la Señal de Control El diodo DA sirve para evitar la saturación completa del BJT de potencia y así acelerar su conmutación. con Aislamiento Optoacoplado de la Señal de Control  Este circuito es útil para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de salida alta). por ejemplo IXLD4425.  Circuito de Control de Puerta. 3Amp y +/.Circuito de Control de Base.15v . 5 pueden conectarse directamente.2 Acoplados magnéticamente Señal de Control de Alta Frecuencia. o en circuitos análogos a los vistos sustituyendo a fotoacopladores Señal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso .1. y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentación auxiliar El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de magnetización Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D˜0. Aislada con Transformador de Pulso    El transformador de pulsos permite transportar una señal de cierta potencia.2. conectándose bien a la puerta de transistores de potencia. . Evita Fuente de alimentación. Circuito de Base con Señal de Control Aislada mediante Uso de Transformadores de Pulso. Al cortar T1 cuando por Lm circula ip. y por tanto por el colector. ib sería negativa y por tanto. La corriente de magnetización por el transformador (por Lm) será transcurrido un tiempo: ip≈VBB/Rp. se hace circular una corriente por la base. y los diodos rectificadores serán de alta frecuencia. T2 se cortará.La frecuencia del oscilador podría ser por ejemplo de 1MHz. de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 será: ib=icN3/N2. Aplicación para Frecuencias de Trabajo Elevadas y Ciclo de Trabajo Aproximadamente Constante. pero de señal. Si T1 está conduciendo. la tensión aplicada al devanado 1 es VBB y la corriente ip por el transformador podrá ser muy alta. pero de señal. Señal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso La frecuencia del oscilador podría ser por ejemplo de 1MHz. podrá hacerse la corriente de base negativa y se cortará el transistor de potencia.Además. durante el tiempo que está cortado T1 Cp se descargará por Rp. de forma que: ib= icN3/N2. y los diodos rectificadores serán de alta frecuencia.ipN1/N2 Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformación. Si en estas condiciones se vuelve a saturar T1. . 2 Circuitos de disparo con dispositivos digitales 2.2. los bloques básicos de el temporizador 555 son una cadena de 3 resistencia del mismo valor. Como se muestra en el diagrama de la figura 1. .1 Timer El temporizador 555. Las resistencias se colocan en las entradas de los comparadores (este es el pin 6.2. un flip flop. dos comparadores de voltaje. y un transistor BJT. threshold) en VTH = (2/3) Vcc y VTL = (1/3)Vcc. 2 Figura 1. 2. Temporizador NE555. Divisores de Frecuencia y detectores de cruce por cero (comparadores) Microcontroladores Podemos utilizar como referencia a el multiplicador discutido es este tutorial.2.Figura 1. . (a) Voltaje positiio en el denominador.Técnicas de división análoga. ya que puede ser usado como un divisor analógico empleando circuitos de retroalimentación como se muestras en las figuras 1(a) y (b). (b) voltaje negativo en el denominador. 3 Modulador de Ancho de Pulso (PWM) Especificaciones • Frecuencia de PWM de 400 Hz • Capacidad de corriente de 3 amperios con un MOSFET IRF521 • Voltaje de 12V • Control por potenciómetro o por voltaje de entrada • Voltaje de control entre 0 y 10 voltios Un modulador por ancho de pulso (PWM) es un dispositivo que puede usarse como un eficiente dimmer de luz o para controlar la velocidad en motores DC. son controlados más exitosamente con transistores de conmutación por ancho de pulso. Este error limita severamente el rango dinámico de el divisor. mientras los motores DC pequeños y medianos de imán permanente. este se produce cuando le señal de entrada es pequeña. Para e1 < 0. Los motores DC grandes son controlados más eficientemente con tiristores de alta potencia. 2. . La principal limitación de tal retroalimentación en el divisor es el gran período de error como por ejemplo sería que el valor de e2 tienda a cero. especialmente donde el error de el multiplicador alcance su valor máximo.2. el multiplicador debe proveer una polaridad inversa mientras que para e1 > 0 el multiplicador debe generar +e1e0/10 = -e2 para asegurar una operación estable (retroalimentación negativa). El circuito descrito es un dispositivo para controlar motores que manejen unos cuantos amperios o también se puede utilizar para controlar el brillo en lámparas.Notemos que en sólo dos cuadrantes esta operación es posible porque el voltaje e4 debe ser de una polaridad opuesta a e1. variando en el tiempo del 0 al 100 %. La principal desventaja de los circuitos de PWM es la posibilidad de que exista interferencia por radiofrecuencia (RFI). El RFI puede minimizarse ubicando el controlador cerca de la carga y utilizando un filtrado de la fuente de alimentación. El otro 21% se pierde en forma de calor. A una señal de control del 50%. Este circuito posee una pequeña protección contra RFI y produce una mínima interferencia. La principal ventaja de un circuito de PWM sobre un controlador que se base en la variación lineal de la potencia suministrada a una carga mediante cambio resistivo es la eficiencia. de un 50% de potencia que se quiera transferir a la carga se estima que le puede llegar cerca de un 71%. En un controlador tipo resistivo.Un circuito PWM arroja como resultado una onda cuadrada con ciclo variable de ON y Off. . De esta manera. el PWM usará cerca del 50% de la potencia total. una cantidad variable de potencia es transferida a la carga. de la cual casi tosa será transferida a la carga .
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