Avaliação: CCE0252_AV1_ » MATERIAIS ELÉTRICOS Tipo de Avaliação: AV1 Aluno: Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Nota do Trabalho: Nota de Participação: 2 Turma: 9001/A Data: 11/04/2013 20:30:43 Nota da Prova: 4,0 de 8,0 1a Questão (Cód.: 86555) Pontos: 0,5 / 0,5 Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm? Condutividade Resistividade Indutância Condutância Resistência 2a Questão (Cód.: 160289) Pontos: 0,0 / 1,0 Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. 7x10-8 Ω. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1. 3.4 Ω 4.8 Ω 3.A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.: 8310) Pontos: 0.35 Ω 6. como engenheiro do ONS. a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão.m.9x103 o -1 C ). em sua grande maioria.19 Ω .0 / 0. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio. 3a Questão (Cód.89 Ω 4. Você. por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.5 A planta de Geração Energética Brasileira é formada. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento. composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2. Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores. Matematicamente. a resistividade.: 160204) Pontos: 1.9 mili ohms 376.67R.5R. que é uma propriedade física intensiva. 347. 5a Questão (Cód. está relacionada a resistência R do material através da relação = R.0 / 1.cm na forma de um fio cilíndrico.3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0.4 mili ohms 399.5 / 0.38 mm2. Considerando-se que houve necessidade de estirar (esticar) o condutor. 12R. . assinale entre as respostas a seguir aquela que melhor representa a nova resistência do condutor em função da resistência anterior R.4a Questão (Cód.5 Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10 Ω.2 mili ohms 354. 2. ou seja.A/l. o que triplicou o seu comprimento e reduziu a sua área a um quarto da original. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0. onde A é a área da seção reta e l é o comprimento do material condutor. 0. 8R. existe a resistividade. não depende da geometria e nem da quantidade de massa apresentada pelo material.38 mili ohms 384. 0.: 99577) -6 Pontos: 0.75R.0 Entre as diversas propriedades físicas associadas ao comportamento elétrico de um material. como ilustrado na figura a seguir.6 mili ohms . A/l F=m. Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga.i 8a Questão (Cód.: 98327) Pontos: 0. Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron. A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n. 9a Questão (Cód.0 / 1. Entre as opções a seguir. A History of Electricity and Magnetism .0 A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico. décadas mais tarde.2 V 640 mV 7a Questão (Cód.5 A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e. 12 metros de comprimento e raio de 1. determine a que melhor representa esta relação: V=R.0 / 1. cuja linguagem principal é a Matemática.E P=U. Norwalk. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique.8 x 107 S/m. Connecticut.6a Questão (Cód.: 160244) Pontos: 0..0 / 0. marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais.i V=R i.0 / 1.a V=N. Entre as informações relevantes.i. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. 6. 1972.2 A. Considere a condutividade do cobre igual a 5.0 Um condutor de cobre com seção reta circular.: 160210) Pontos: 1. Chapter 3) Entre as opções a seguir. portanto. seria conhecida como Lei de Ohm. não depende . havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que.5 mm é percorrido por um acorrente de 2. publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos.: 160235) Pontos: 0. (MEYER HERBERT W. Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material. Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.0 Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica.4 V 120 mV 64 mV 1. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction. esta propriedade varia com a temperatura e. . USA. Identifique. Lei de Ohm. indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura. Baseado nas informações anteriores. Efeito Fischer. Elipse. WILLIAM D. onde 0 e ao constantes.0 A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. Chapter 19). 10a Questão (Cód. Círculo.da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Jr. Efeito Hall. Efeito Joule. Efeito Tcherenkov.0 / 1. para pequenas variações. John Wiley & Sons. Hipérbole. podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T. (CALLISTER. entre as opções a seguir.: 160292) Pontos: 1. Parábola. Contudo. Reta. 1997.