AP15N03GH/JPb Free Plating Product Advanced Power Electronics Corp. ▼ Low Gate Charge ▼ Simple Drive Requirement ▼ Fast Switching G S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET D BVDSS RDS(ON) ID 30V 80mΩ 15A Description The TO-252 package is universally preferred for all commercialindustrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP15N03GJ) is available for low-profile applications. G D S TO-252(H) GD S TO-251(J) Absolute Maximum Ratings Symbol VDS VGS ID@TC=25℃ ID@TC=100℃ IDM PD@TC=25℃ TSTG TJ Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current 1 Rating 30 ± 20 15 9 50 28 0.22 -55 to 150 -55 to 150 Units V V A A A W W/℃ ℃ ℃ Total Power Dissipation Linear Derating Factor Storage Temperature Range Operating Junction Temperature Range Thermal Data Symbol Rthj-case Rthj-amb Parameter Thermal Resistance Junction-case Thermal Resistance Junction-ambient Max. Max. Value 4.8 110 Unit ℃/W ℃/W Data & specifications subject to change without notice 200227032 037 Max.9 22.Pulse width <300us .2 3. 30 1 ` - Typ.4Ω. 0. ID=250uA VGS=10V. VGS=0V VGS= ± 20V ID=8A VDS=24V VGS=5V VDS=15V ID=8A RG=3.AP15N03GH/J Electrical Characteristics@T j=25 oC(unless otherwise specified) Symbol BVDSS ΔBVDSS/ΔTj Parameter Drain-Source Breakdown Voltage Static Drain-Source On-Resistance Gate Threshold Voltage Forward Transconductance Drain-Source Leakage Current (Tj=25 C) Drain-Source Leakage Current (Tj=150 C) o o Test Conditions VGS=0V. VS=1.6 1. ID=6A VDS=VGS. VGS=0V Notes: 1. ID=250uA VDS=10V. .9Ω VGS=0V VDS=25V f=1. VGS=0V VDS=24V. duty cycle <2%.1 3 4. Units 15 50 1. - Typ. 2.0MHz Min. Units 80 100 3 1 25 ±100 V V/℃ mΩ mΩ V S uA uA nA nC nC nC ns ns ns ns pF pF pF Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25℃.3 A A V Pulsed Source Current ( Body Diode ) Forward On Voltage 2 Tj=25℃. ID=8A VGS=4.3V 1 Min.5 12. ID=1mA RDS(ON) VGS(th) gfs IDSS IGSS Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf Ciss Coss Crss 16 4.3 160 107 32 Gate-Source Leakage Total Gate Charge 2 Gate-Source Charge Gate-Drain ("Miller") Charge Turn-on Delay Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance 2 Source-Drain Diode Symbol IS ISM VSD Parameter Continuous Source Current ( Body Diode ) Test Conditions VD=VG=0V . ID=18A VDS=30V.VGS=10V RD=1.Pulse width limited by safe operating area.5V. - Max. IS=15A. Drain Current (A) V G =6.4 1.6 -50 0 50 100 150 V GS (V) T j .8 I D =8A 80 I D =8A 1. Typical Output Characteristics RDS(ON) (m Ω ) 90 1.8 40 0.0V V G =6.AP15N03GH/J 50 40 T C =25 C V G =10V VG ID . Typical Output Characteristics Fig 2.0V 30 o T C =150 C V G =10V V G =8. Drain-to-Source Voltage (V) V DS .0V o 30 ID . Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1.0V 0 0 1 2 3 4 5 6 7 0 0 1 2 3 4 5 6 7 V DS . Drain Current (A) =8.0 50 0.2 60 1.0V 20 10 10 V =4.0V G V G =4. Junction Temperature (o C) .6 T C =25 o C 70 Normalized R DS(ON) 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1. Gate Voltage Fig 4. On-Resistance v.s. Junction Temperature .Fig 3. Normalized On-Resistance v.s. Typical Power Dissipation Case Temperature 100 1 DUTY=0. Effective Transient Thermal Impedance .01 0.1 1 V DS (V) t . Fig 6.02 PDM 1ms t 0.05 10 100us 0. Drain Current (A) 10 5 0 25 50 75 100 125 150 PD (W) 20 10 0 0 50 100 150 o o T c .01 SINGLE PULSE T T c =25 C o 10ms Duty factor = t/T Peak Tj = P DM x Rthjc + TC Single Pulse 1 1 10 DC 0.s. Maximum Drain Current v.5 10us Normalized Thermal Response (R thjc) 0.2 ID (A) 0. Case Temperature ( C) Fig 5.1 0. Maximum Safe Operating Area Fig 8.AP15N03GH/J 20 40 15 30 ID .01 100 0.00001 0.0001 0.1 0.001 0. Pulse Width (s) Fig 7. Case Temperature ( C) Tc . AP15N03GH/J 16 f=1.0MHz 1000 I D =8A VGS . Total Gate Charge (nC) V DS (V) Fig 9. Gate to Source Voltage (V) V DS =16V V DS =20V V DS =24V C (pF) 12 Ciss 10 8 100 6 4 Crss 2 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 10 1 6 11 16 21 26 31 Q G . Forward Characteristic of Reverse Diode Fig 12.9 1.1 1. Gate Charge Characteristics Fig 10.5 0 50 100 150 V SD (V) T j . Junction Temperature( o C) Fig 11.s.3 0.1 0. Junction Temperature . Typical Capacitance Characteristics 100 3 IS (A) 10 2 T j =150o C T j =25 C o VGS(th) (V) 1 0 -50 1 0.3 1.1 0. Gate Threshold Voltage v.5 0.7 0. Switching Time Waveform VG VDS TO THE OSCILLOSCOPE QG 5V QGD D G 0. Switching Time Circuit Fig 14.AP15N03GH/J VDS RD 90% D VDS TO THE OSCILLOSCOPE 0.5x RATED VDS RG G 10% + 10 V S VGS VGS td(on) tr td(off) tf Fig 13. Gate Charge Waveform .8 x RATED VDS QGS S + VGS - 1~ 3 mA I G I D Charge Q Fig 15. Gate Charge Circuit Fig 16. MOSFET ▼ carga de puerta de baja D BVDSS 30V ▼ simple requisito de unidad de RDS (on) 80mΩ ▼ Cambio rápido Descripción G ID 15A S El paquete A-252 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales de montaje de superficie y adecuado para aplicaciones de baja tensión.AP15N03GH / J Pb producto gratuito Revestimiento avanzada de energía N-canal en modo mejorado Electronics Corp. GDS A-252 (H) Los valores máximos absolutos G D S A-251 (J) Símbolo de unidades de los parámetros de calificación VDS drenaje-fuente de voltaje de 30 V VGS puerta-fuente de voltaje de ± 20 V ID TC = 25 ℃ Corriente continua de drenaje. VGS @ 10V 15 A . La versión de orificio pasante (AP15N03GJ) está disponible para aplicaciones de bajo perfil. tales como convertidores CC / CC. ID TC = 100 ℃ Corriente continua de drenaje. VGS @ 10V 9 A IDM 1 Drenaje pulsada de corriente 50 A PD TC = 25 ℃ Potencia de disipación total de 28 W Factor de corrección lineal 0.22 W / ℃ Rango de temperatura de almacenamiento TSTG -55 a 150 ℃ Junction TJ Rango de temperatura de -55 a 150 ℃ Los datos térmicos Datos y especificaciones están sujetos a cambios sin previo aviso 200227032 AP15N03GH / J Características eléctricas @ Tj = 25 º C (a menos que se especifique lo contrario) . Pulse anchura limitada por el área de operación segura. 2.3 V Notas: 1.1. ES = 15A. VGS = 0 V . deber <2%.3V .15 A ISM Fuente Pulsada de corriente (Diodo Cuerpo) 1 .Fuente-Drain Diodo Símbolo de condiciones de prueba parámetro min. Max.Pulse anchura <ciclo de 300us. AP15N03GH / J 50 T C = 25 º C V G = 10V V G = 8. VS = 1.0 V 40 T C = 150 C . Unidades ¿La fuente de corriente continua (Diodo Cuerpo) VD = VG = 0 V.50 A VSD 2 Remitir tensión Tj = 25 ℃. Typ. 1.0 V 0 01234567 V DS.0 V 30 V G = 6.0 V V G = 4. de drenaje a la fuente de voltaje (V) 0 01234567 V DS.0 V V G = 6.30 V G = 10V V G = 8. Características típicas de salida . Características típicas de salida de la figura 2.0 V 20 10 V 10 G = 4. de drenaje a la fuente de voltaje (V) Fig. Puerta de voltaje Fig.4 70 1.s.2 60 1.6 -50 0 50 100 150 o V GS (V) T j.8 40 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 0.90 I D = 8A 80 T C = 25 º C 1.8 1.s. Normalizado En Resistencia v. En Resistencia v. temperatura de la unión (C) La figura 3.0 50 0. Temperaturas de la conexión . 4.6 I D = 8A 1. 5 . La disipación de energía típico Caso de temperatura 100 1 TRABAJO = 0. La figura 6.s. la temperatura de la caja (C) T C.AP15N03GH / J 20 40 15 30 10 20 5 10 0 25 50 75 100 125 150 o 0 0 50 100 150 o T C. la temperatura de la caja (C) La figura 5. Máximo Consumo de corriente v. 01 Pulso simple PDM t T Tc = 25 ° C 10 ms Factor de servicio = t / T Pico Tj = x PDM Rthjc + TC Pulso único 1 Corriente continua 0.02 0.2 10 100us 0.1 0.05 1ms 0.10us 0.01 .1 0. A partir de impedancia térmica transitoria AP15N03GH / J 16 1000 f = 1. puerta de carga total (NC) 10 . ancho de pulso (s) La figura 7. Área máxima de operación segura la figura 8.0MHz I D = 8A 12 V DS = 16V V DS = 20V 10 V DS = 24 8 100 6 4 2 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Q G.0001 0.1 10 100 V DS (V) 0.1 1 t.00001 0.001 0.01 0. Diodo inverso temperatura de la unión . 9.5 0.1 0. Delantero Típico de la figura 12.7 0. Tensión umbral de la puerta v.1 1.9 1. Características típicas de capacitancia 100 3 10 2 T j = 150 ° C T j = 25 ° C 11 0.s.3 1. temperatura de la unión (C) Fig. 11. Características Puerta de carga Fig.1 0.5 0 -50 0 50 100 150 o V SD (V) T j. 10.3 0.1 6 11 16 21 26 31 V DS (V) Fig. AP15N03GH / J VDS RD 90% VDS D En el osciloscopio RG G +S 10 V - VGS 0.5x NOMINAL VDS VGS 10% td (a) tr td (off) tf . El cambio de forma de onda de tiempo VG VDS DG En el osciloscopio 0. 13.8 x NOMINAL VDS QG 5V QGS Gambito de Dama S + 1 ~ 3 mA Yo G VGS Yo D Carga Q .Fig. 14. Tiempo de conmutación de circuito Fig. 15. Puerta de carga del circuito Fig. Puerta de carga de forma de onda . 16.Fig.